Il est nécessaire aujourd'hui de rapprocher les communautés composants et circuits mais aussi de mettre en place une démarche de conception globale des interrupteurs électroniques de puissance. L'augmentation des fonctionnalités des dispositifs électroniques, l'intégration de certains composants sont aujourd'hui des challenges qui regroupent de nombreux chercheurs et industriels qui se trouvent à la source des réflexions régroupées dans cet ouvrage. L'ouvrage est composé de cinq chapitres. Dans les deux premiers, les interrupteurs blocables modernes que sont les MOSFET et les IGBT sont présentés. Le troisième chapitre est consacré aux associations en série et en parallèle de ces composants. Le quatrième chapitre traite des diodes rapides qui restent des composants incontournables de l'électronique de puissance. Enfin, dans le cinquième chapitre, les auteurs présentent une étude prospective sur des composants utilisant le carbure de Silicium.
Sommaire Les transistors MOS de puissance (MOSFET) -J-M Li, P. Aloisi. Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) -J-M Li et P. Aloisi. Associations série ou parallèle des MOS et IGBT -D. Chatroux, D. Lafore, J-L Schanen. Mise en oeuvre des diodes rapides -B. Rivet. Applications du carbure de silicium en électronique de puissance -M-L Locatelli, D. Planson.