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Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy.
From 2d To 3d Photonic Integrated Circuits
de Yasha Yi
Parameter-Centric Scaled Fet Devices
de Nabil Shovon Ashraf
Visual Analytics For Process Monitoring
de Ibrahim Yousef, R. Bhushan Goplauni e Sirish L. Shah
Compound Semiconductor Materials And Devices
de Tongde Huang, Qiang Li, Zhaojun Liu, (...)
Low Substrate Temperature Modeling Outlook Of Scaled N-Mosfet
New Prospects Of Integrating Low Substrate Temperatures With Scaling-Sustained Device Architectural Innovation
de Nabil Shovon Ashraf, Mohaiminul Alam e Shawon Alam
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