Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices

de C.K (Indian Institute Of Technology, Kharagpur, India) Maiti, L.K Bera e S (University Of Newcastle, Uk) Chattopadhyay 

Bertrand.pt - Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
idioma: Inglês
Editor: TAYLOR & FRANCIS LTD
Edição: janeiro de 2007
Formatos Disponíveis:
Portes
Grátis
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Poupe 62,19€ (20%) Cartão Leitor Bertrand

Brings together materials science, manufacturing processes, and research and developments of SiGe and strained-Si. This book contains the information on strain engineering in silicon CMOS and strained-Si-based integrated circuit technology and strain-engineered MOSFETs. It presents various aspects of silicon heterostructure materials and devices.

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Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
de C.K (Indian Institute Of Technology, Kharagpur, India) Maiti, L.K Bera e S (University Of Newcastle, Uk) Chattopadhyay 
ISBN:
9780750309936
Ano de edição:
01-2007
Editor:
TAYLOR & FRANCIS LTD
Idioma:
Inglês
Dimensões:
156 x 235 x 28 mm
Encadernação:
Capa dura
Páginas:
436
Tipo de Produto:
Livro
Classificação Temática:
EAN:
9780750309936
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